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| tech:boarddesign:select [2025/01/09 19:55] – [MOSFET] matsuhachi | tech:boarddesign:select [2025/01/21 15:26] (現在) – [ハイサイドとローサイドの使い分け] matsuhachi | ||
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| * 入力容量はﾄﾞﾗｲﾌﾞ側の出力抵抗と組み合わさって時定数を形成する為、入力容量が小さいものを選ぶ必要がある。また、帰還容量crssが急峻でないものを選定すること。駆動電圧10V付近の容量変化⊿Crss/ | * 入力容量はﾄﾞﾗｲﾌﾞ側の出力抵抗と組み合わさって時定数を形成する為、入力容量が小さいものを選ぶ必要がある。また、帰還容量crssが急峻でないものを選定すること。駆動電圧10V付近の容量変化⊿Crss/ | ||
| + | * ゲートにつける抵抗は、突入電流を小さくするための電流制限抵抗。 | ||
| + | * 電圧増幅。 | ||
| + | * 基本的には、ゲートとドレイン& | ||
| + | * FETをディスクリートで入れるなら、必ずプル抵抗と電流制限抵抗を入れましょう！ | ||
| + | * [[https:// | ||
| + | * 鷺坂は、２つの抵抗で分圧されるのが嫌なので、分岐後に抵抗を入れるクセがあるのですが、一般的には参考の通りみたいです。 | ||
| + | * 今回は電流制限1k、プル抵抗10kとかでどうでしょう。 | ||
| + | ==== ハイサイドとローサイドの使い分け ==== | ||
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| + | 外部の負荷に対して、半導体スイッチを上側回路（電源側）に配置するのをハイサイド駆動、下側回路（GND側）に配置するのをローサイド駆動といいます。 | ||
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| + | IPDは外部負荷に対して、上側回路に適するハイサイドスイッチと下側回路に適するローサイドスイッチがあり、それぞれに配置するのに適した回路設計がなされています。 | ||
| + | 下図左のように、電源電圧が固定された回路に様々な負荷が配置されている回路、例えば自動車などバッテリー固定電圧で、ボディがGND接地になっている環境では、出力が地絡し易い環境のため、異常状態の検知としては、地絡検出が容易にできるハイサイドスイッチの方が適しています。 | ||
| + | 一方、下図右のように、いろいろな電源電圧に負荷が配置された回路にはローサイドスイッチが適しています。ローサイドスイッチはMOSFET のソースがGND接地されており，ゲートに入力電圧を印加して動作します。この制御は単体のMOSFETと同じため、単体のMOSFET からの置き換えが容易となります。 | ||
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| + | ゲート抵抗はCMOS駆動時には必須、その他ではオプショナルですが、今回ゲートソース電圧の絶対最大定格のマージンがあまりない（-5V）のでオーバーシュートをなくす意味で入れておきたいです。 | ||
| + | わかりやすくMOSFET付近に。100オームなど。 | ||
| ===== ラズパイなど ===== | ===== ラズパイなど ===== | ||
| RPiの3.3vは旧来は数十mAしか引けないのでハットの回路を駆動するのにはあまり使わないほうがいいかも（RPi5は違う？） | RPiの3.3vは旧来は数十mAしか引けないのでハットの回路を駆動するのにはあまり使わないほうがいいかも（RPi5は違う？） | ||